Interconnections in microelectronic packaging are not only the physical carrier to realize the function of electronic ci......

采用三重扩散工艺制作ＩＧＢＴ是一种比较经济的方法。利用解析方法和二维模拟方法，优化了耐压为６００Ｖ三重扩散ＩＧＢＴ的部分参数，为实际利用三重扩散工艺......

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０Ｖ ＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导......

彩硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ，输出功率５．１Ｗ，功率增益８ｄＢ，跨导６５０ｍＳ，截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参......

提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ＣＩ－ＬＩＧＢＴ），它可以有效地控制高压下阳极区穴穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏ｐ＾＋ｎ＾＋结 穿电......

提出了一种阳极短路垂直型ＩＧＢＴ的优化设计模型，阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系。该模型为阳极短路ＩＧＢＴ的设计提供了一种......

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年......

通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《......

回顾了应用于ＳＯＩ功率集成电路的ＳＯＩ功率器件的发展背影，论述了ＳＯＩ功率器件的开发现状，以及作为ＳＯＩ功率器件基础的ＳＯＩ材料制备技术和耐压结构研究的最......